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专家介绍·APCSCRM 2018
发表时间:2019-08-25
2017-06-28         

  到目前亚太碳化硅及相关材料(GaN, AlN, BN, Ga2O3, ZnO, 金刚石等)国际会议的专家介绍就给大家介绍完毕,现在我们整体回顾下来参会的各位专家。

  岩室 宪幸教授是IEEE电子器件协会电力设备技术委员会成员、IEEE高级会员、IEEJ高级会员,日本应用物理学会会员、IEEJ硅和新材料功率器件/功率IC技术调查任务组委员会主席、IEEE ISPSD技术计划委员会成员,副主席(2010年)。

  1997年毕业于早稻田大学(东京)电气工程,获博士学位。曾于1984年加入富士电机株式会社,任经理一职。1992年-1993年,曾以访问学者的身份在美国北卡罗来纳州罗利市北卡罗莱纳州立大学功率半导体研究中心进行Si MOS栅极晶闸管的安全工作区的研究。2009年-2013年,在日本筑波国家先进工业科学和技术研究所(AIST)从事SiC功率MOSFET和肖特基势垒二极管相关开发的工作。目前为日本筑波筑波大学的教授,进行SiC功率半导体器件的研究。

  研究成果:著有《SiC / GaN功率电子学(监督)扩散点》(科学出版物,日文版,2018年1月发行),《下一代功率半导体及其工业应用的技术进步》(CMS出版社,日文,2015年6月)等学术著作5本;在国际国内(日本)等重要会议,刊物发表论文50余篇,同时为日本国内外各大学术杂志期刊社的撰稿20余篇;拥有专利50余项,其中日本专利28个,美国专利23个;于2011年获得电气学会优秀技术奖小组工作奖。

  中国 物理研究所研究员、博导,先进材料与结构分析重点实验室主任,北京天科合达半导体股份有限公司首席科学家

  1964年5月生于山东。1991年在中国科学院物理研究所获得博士学位,现任物理研究所研究员、博导,先进材料与结构分析重点实验室主任,北京天科合达半导体股份有限公司首席科学家。长期从事新功能材料探索、新物性和宽禁带半导体晶体生长的研究和产业化工作。在宽紧带半导体晶体生长和物性以及新超导体探索方面取得突出成绩,德国海德堡大学和拜罗伊特大学洪堡学者,1999年国家杰出青年科学基金获得者。曾兼任中国晶体学会副理事长(2004-2012),现兼任中国物理学会x射线-),国际衍射数据中心(ICDD)副主席(2016-),国家万人计划入选者,科技北京百名领军人才,入选北京市高层次创新创业领军人才,先后承担国家重大科学研究计划项目(首席科学家)、国家自然科学基金委重大研究计划集成项目40余项等。在国际有影响的学术刊物上发表和合作发表论文300余篇,申请国家发明专利50项(已授权40项),起草国家标准3项(已实施)。

  新井 学部长是IEEE、日本应用物理学会和电气学会、信息和通信工程师学会(IEICE)成员。研究方向:半导体功率器件的开发。

  研究成果:1997年-1999年,研究出用微波化学气相沉积法制作金刚石场发射阴极。1998年,对用于微波雷达应用的高频SiC MESFET进行研究,并致力于SiC功率器件的开发。2009年-2011年,从事硅衬底GaN器件的开发。2013年-至今,从事硅功率器件的开发,如IGBT和超结MOSFET。

  张清纯博士主要负责管理宽禁带半导体项目的资金审批和技术验收工作。负责审阅从各个大学,国家实验室和公司递交的项目技术审核和管理。项目主要包括碳化硅和氮化镓宽带半导体新器件,模块,整机和如何促进宽带半导体技术的广泛应用的途径。同时他还担任北卡州立大学电子与计算机系的客座教授,指导博士研究生的论文和课题工作。

  张清纯博士在获得北京清华大学电子工程系的学士和硕士学位后于1997年留学美国。博士期间专注于第三代半导体的材料和器件的研究,并获得南卡罗莱纳大学工学博士学位。随加入洛克威尔公司研发部从事高压碳化硅器件的研发。并率先研制出高性能SiC JFET和二极管。这是首次开发出一万伏超高压SiC IGBT。2005年,加入CREE 公司,作为器件科学家从事SiC 器件的研发和商品化。电力器件的创新和产品化方向是张博士的专长。在任职CREE近13年间,他发明和领导了公司所有二极管的研发,取得重大的经济效益。同时他投身于所有代际的MOSFET的研发。发明的多项专利被广泛应用于公司的产品中。其中他首次报道了工业界的SiC 沟道MOSFET,12千伏IGBT,沟槽型电力肖特基二极管,无飘移BJT,12千伏GTO和光控晶闸管,1.2千伏SiC MOSFET新结构(CIMOSFET),最新代的650伏和1700伏MOSFET,等。

  撰写了SiC电力器件的书籍章节。共发表超过100篇学术论文和数十次大会演讲或特邀演讲。作为第一或合作发明人,迄今为止共取得75项美国发明专利,并有多项正在申请中。他多次担任ISPSD国际会议的技术委员会成员,审阅包括IEEE期刊投稿文章,担任国际宽带半导体器件和材料路线图专家组共同主席。

  CHUL MIN OH研究员主要研究方向为互联领域和对电子封装可靠性的影响。重点研究材料,工艺及其可靠性的互连方法,以支持3D封装或功率器件等先进器件。

  2015年毕业于日本大阪大学自适应机器系统系,获博士学位。之后在KETI电子会聚材料与器件研究中心工作至今。同时是韩国金属与材料研究所、矿物,金属与材料学会和电子材料与包装会的成员。

  主要工作包括SiC功率模块的Ag烧结工艺开发;用功率模块烧结工艺开发Cu烧结膏和超细间距电子封装的可靠性评估。

  参与的课题16项,目前正进行的研究课题4项:利用碳化硅的功率转换模块的键合技术的发展使环保型车辆能够在300℃以上运行;开发速度为6sec/chip,pitch size 为20μm的热压连接技术;开发100V沟槽MOSFET的无缺陷键合工艺;开发用于光伏组件电源系统的电力开关设备和控制设备组件以符合欧洲环境法规(WEEE)等。

  技术专长:功率半导体器件与集成技术;Si基RF/Power器件、新工艺关键技术开发;8英寸硅基HV-BCD ICs芯片工艺与驱动应用;GaN基宽禁带半导体功率集成、高频电子器件开发;GaN基HV-LED芯片开发及光电集成应用。

  黄伟博士长期从事功率半导体基础研究、技术产品和成果转化等工作。于2006年在北京大学获得博士学位,先后在香港科技大学、中国电子科技集团公司第五十八研究所从事两站博士后,拥有海外知名半导体公司半导体技术与产品开发经历和在国内创立初创型高科技型企业的相关经历。先后入选国家外专局人才引智计划和江苏省千人等高层次人才计划。

  2009年-2016年曾任中国电科第五十八研究所控股公司技术总负责人,撰写58所民品产业中长期规划、孵化初创型高科技企业;主持58所GaN/Si功率集成技术团队与技术、产品开发;主持国家、省、市等科技项目,承担援疆项目;2008年任香港晶门科技有限公司(Solomon-systech)高级研发工程师;8英寸0.35um 150V-BCD整套芯片工艺及器件建模,以及配合HV-LED驱动芯片设计与方案开发;-单片大功率GaN基白光LED整套芯片工艺;1998年至2000年任教于成都电子科技大学,讲授高频电子线路、低频模拟电路专业课与实验课。

  黄博士近期承担科研项目13项,至今发表文章39篇,十几项获奖和专利专著及高新技术产品。

  邱显钦博士2003年在台湾中央大学电机系固态组取得博士学位后[博士论文题目: 深次微米砷化镓通道掺杂场效应晶体管及其在微波功率放大器之应用],加入了亚洲第一家六吋砷化镓代工厂(现在世界最大砷化镓器件代工厂)-稳懋半导体,从事0.15微米砷化镓高电子移导率场效应晶体管(0.15μm GaAs pHEMT)及其电路开发,以及商业六吋砷化镓pHEMT与HBT生产线量产规划与建厂设计。

  2004年六月加入台塑集团长庚大学电子系进行高速组件开发与毫米波集成电路设计并同时规划建立长庚大学化合物半导体无尘室及其相关半导体制程设备,2007年开始氮化镓高功率组件与高功率电路技术开发,2010年取得正教授资格。2009年加入长庚大学高速智能通讯研究中心并建立110GHz 高频量测与建模能力的毫米波核心实验室,2013年建立四吋氮化镓功率组件实验室开发氮化镓功率晶体管与驱动模块,氮化镓微波晶体管与模块。

  2012年担任长庚大学高速智能通讯研究中心主任,来年也担任长庚大学光电所所长,邱教授在微波砷化镓高速器件,氮化镓高压器件与微波毫米波电路方面迄今发表了超过170篇国际论文,150国际会议论文,十个技术专利,目前也是IEEE资深会员(IEEE Senior Member)并服务于IEEE Microwave Theory and Techniques Society Policy Team Member。邱教授也是斐陶斐协会会员,过去五年执行的产学以及科研计划总经费达三千六百万台币(约七百二十万人民币)。

  顾亦磊院长曾就职于美国500强伊顿公司负责全球研究院电力电子与电机控制部门。2015年9月加入合肥阳光电源公司,开展新能源领域的技术研究工作,包括太阳能、风能、储能、电动汽车等领域。发表学术论文76篇,获发明专利40项。获六西格玛设计(DFSS)黑带认证。获深圳市创新人才奖和深圳市高层次领军人认定。入选合肥市百人计划。国家重点研发计划项目(2016YFB0900300)技术负责人。

  报告分析了光伏逆变器的特点、发展历程和现状。针对效率和功率密度进一步提升的需求,总结了三条技术路线,包括软开关、多电平、宽禁带器件。报告将给出阳光电源所承担的国家重点研发计划中对于高效率高功率密度的逆变器装备的研究进展。项目采用SiC MOSFET和Si IGBT的混合型逆变器拓扑,并开发了一系列相应的关键技术。该逆变器加权平均效率达到98.9%,功率密度达到1W/cm3以上。最后报告将阐述光伏逆变器未来进一步的发展趋势,以及对功率半导体器件提出新的需求。

  纪世阳研究员是日本应用物理学会及先进功率半导体分科会员,原日本金属学会,日本实装(封装)学会会员。1998年和2001年分别在中国华东理工大学及中国科学院长春光学精密机械与物理研究所获工学学士及硕士学位,2006年于日本东北大学智能器件材料学专攻获授工学博士学位。有近20年的薄膜工学及外延生长经验, 侧重分子束外延及化学气相沉积方法。现为日本国立产业技术综合研究所先进功率电子研发中心外延课题组常勤研究员,作为一线研究员参与日本政府实施的国家级大型技术攻关课题,如“FUPET-次世代功率电子研发机构”,“FIRST-面向低碳社会的革新功率电子研发”及在研的”SIP-次世代功率电子”等, 研发方向是4H-SiC基IGBT,PiN二极管,MOSFET等功率元件用高品质多层薄膜结构的外延生长。2014年起,致力于CVD法SiC沟槽填埋外延的技术研发,成功开发出适用于高开口率深槽的“拟似选择外延技术”。使制造万伏级高耐压4H-SiC基 “超级结MOSFET”成为可能,符合未来高性能功率器件技术的发展方向。

  高冰教授主要研究方向:多尺度建模与仿真、流体动力学与传热传质、光伏用单晶硅和多晶硅晶体生长、大尺寸电子级单晶硅晶体生长及装备设计与制造、大尺寸第三代半导体SiC与GaN晶体生长及装备设计与制造、大尺寸半导体金刚石晶体生长。

  教育经历:2000.09-2004.03在中国科学院力学研究所就读流体力学硕士静心阁高手论坛,2004.04-2008.08在韩国科学技术院就读航空工程博士。

  高教授目前任武汉大学工业科学研究院教授,2008.12-2010.11就职于日本九州大学应用力学研究所时任学术研究员,2010.12-2016.04被日本九州大学应用力学研究所特聘为副教授,2016.05-2017.01被挪威科技工业研究院授予终身研究科学家称号。科研获奖七项,发表文章63篇,著作3部,硕果累累。

  邱教授享受国务院政府特殊津贴,曾担任输配电及节电技术国家工程研究中心主任、电力行业电能质量及柔性输电标准化技术委员会主任。主要从事柔性输电、高压直流输电和电力系统继电保护等领域的研发工作。是中国大功率电力电子技术的主要开创者之一。他主要从事柔性交流输电,高压直流输电,大功率电力电子试验,电力系统继电保护等多个技术领域的研发工作。他是高压领域的主要开拓者之一,中国的大功率电力电子。曾担任国家科技重大专项(02专项),国家发展和改革委员会主持的“十一五”重大装备研制项目,973计划, 863计划,国家科技支撑计划和国家电网公司重大科技专项。他还是中国第一套具有完全自主知识产权的传动系统SVC装置的开发和工程应用的主要成员,开发了世界上第一个高精度传输线kV系列补充装置在我国拥有完整的自主知识产权,可控串补系统和世界首台1000kV特高压串联补偿装置。更重要的是,他在中国第一套具有完全自主知识产权的800kV / 4750A特高压换流阀的研发中发挥了重要作用。到目前为止,他曾获得国家科技进步二等奖和国家能源科技进步三等奖,获得省部级科技进步奖16项,其中7项获一等奖。

  Kimimori Hamada博士1982年获得B.Eng学士学位, 1985年在日本大阪府立大学获得电气工程学位。 后来,又在日本筑波大学获得工程博士学位。Kimimori Hamada博士1985年,他加入了日本爱知县的丰田汽车公司(TMC)。 1987年,他参与了TMC的内部半导体项目。他负责Si器件的开发,如功率MOSFET,IGBT和BiCDMOS技术。他从2004年到2008年担任半导体研发部门的部门总经理,并从2009年到2014年担任内部半导体开发部门的部门总经理。他负责所有普锐斯IGBT开发工作,并决定将其旧的Si量产洁净室变成4英寸SiC研发洁净室。他现在是SiC,GaN及其功率模块开发项目总经理。

  Kimimori Hamada博士是日本汽车工程师协会(JSAE),日本电气工程师协会(IEEJ)和电气和电子工程师协会(IEEE)的成员。他参加过一些与功率半导体和电力电子相关的国际会议委员会,如ISPSD,ICSCRM,IPEC,PCC和SIA(汽车工业协会)-APE。他获得ISPSD2005最佳论文奖。他曾在ISPSD 2013技术计划委员会主席,ISPSD2017副主席和JSAE EVTeC和APE Japan 2014/2016副主席。他将担任ISPSD2021日本的主席。

  刘国友博士,教授级高工,中车首席技术专家,享受政府特殊津贴,国家“万人计划”科技领军人才。株洲中车时代电气股份有限公司副总工程师,新型功率半导体器件国家重点实验室常务副主任,“IGBT技术创新与产业化”国家重点领域创新团队负责人。

  长期从事功率半导体技术研究与产业化工作,主持国家和省部级重大项目10余项。先后主持特高压直流输电6英寸高压晶闸管、高压IGBT技术研究与产品开发等国家级重大项目,负责6英寸晶闸管生产线英寸IGBT芯片与模块封装生产线等重大产业化建设项目。

  主持研发世界上第一只6英寸直流输电晶闸管,第一片8英寸高压IGBT芯片,全面推动IGBT技术进步与持续创新。在高功率密度IGBT、超大容量压接型IGBT、汽车级IGBT等方面取得重大技术突破,多项成果通过科技鉴定,支撑了高铁、直流输电、电动汽车与新能源装备等产业发展。

  在国内外知名学术刊物发表论文60余篇,申报发明专利150余项,已获授权发明专利60余项,荣获国家科学技术进步二等奖1项,湖南省科技进步一等奖、中国电子学会一等奖、中国电工学会一等奖、中国铁道学会特等奖等奖、中国电源学会特等奖等省部级奖10余项。

  庄先生目前是台湾Episil的总裁。在加入Episil之前,他曾担任江苏无锡华润上华的副总裁。在华润上华的职业生涯中,他开发了中国客户,为BCD流程开发针对功率应用的工作,并与现有的IDM竞争。针对具体的应用,定制了设备特性,赢得了A/B类、D类、充电器、PMIC、LED显示屏、LED照明等市场。

  他在台湾清华大学获得电气工程硕士学位。他在半导体行业工作了20多年。毕业后,他加入联电研发,开始他的职业生涯。从研发开始,让他在晶圆制造业中获得知识积累。技术营销让他将晶圆制造和产品应用结合起来。逐步涉及销售业务和外派到欧洲管理关键客户。全面的受训经历使他熟知硅晶圆业务和整个供应链。在联电工作之后,他曾在EDA供应商Synopsys拥有1年从业经验,这一经历帮助他熟悉了IC芯片的设计流程,结合晶圆制造和芯片设计流程,庄先生成为半导体行业全链条的知名专家。

  Episil已经在基于SiC和硅基GaN电力电子应用领域研发了10年之久。目前SiC SBD(肖特基势垒二极管),SiC JBS(结势垒肖特基)和SiC MOSFET正在量产。在这些产品中,600V,650V和1200V产品平台已准备好用于代工服务。Episil可以提供SiC外延,SiC器件制造,背面减薄(低至4mil厚度)和芯片晶圆测试的一站式解决方案。Episil是唯一一家在公开市场向客户提供SiC和硅基GaN 代工的公司。

  温旭辉博士,现任中国科学院电工研究所教授,博士生导师,中国电工学会(CES)电动汽车委员会的主席,也是亚太电动汽车协会的理事会成员,SAE和IEEE会员,中国女科技工作者协会理事,首批新世纪百千万人才工程国家级人选,已发表了100多篇论文。

  主要从事电机驱动与电力电子技术研究,主要应用领域包括电动汽车和智能电网等。1993年毕业于清华大学电机系,获博士学位。1993年到中国科学院电工研究所工作。曾从事磁悬浮与直线驱动技术研究、电动汽车电气系统研究开发等工作,承担并完成了多项国家攻关项目以及中国科学院特别支持项目。

  松浦 秀治教授分别于1980年,1982年和1994年在日本京都大学获得电子工程专业学士,硕士和博士学位。

  1979年至1982年,他研究了使用Mg和p型Si的金属 - 绝缘体 - 半导体太阳能电池的电特性。

  1995年,他加入了OECU,一直致力于开发确定半导体杂质或缺陷能级和密度的方法。他提出并开发了两种图形峰值分析方法,即FCCS(自由载流子浓度光谱)和DCTS(放电电流瞬态光谱)。 FCCS可以使用多数载流子浓度(空穴浓度或电子浓度)的温度依赖关系准确地确定其密度和能级,而无需对掺杂物种类,杂质和缺陷进行任何假设。作为适用于重掺杂p型宽带隙半导体的分布函数,他提出并发展了包括受主激发态影响的分布函数。另一方面,他使用DCTS研究了高电阻率Si和半绝缘半导体(例如SiC和HgI2)中用作在室温下操作的X射线探测器的衬底的缺陷的能级和密度。

  自1997年以来,他一直从事X射线荧光光谱仪的X射线探测器的开发,尤其是开发低成本和可移动的X射线探测器。他已经提出了各种由珀耳帖冷却和一个高压偏压操作的简单结构X射线探测器,这些探测器已被应用于日本和美国的专利。

  拥有日本专利1627938,日本专利1870296,日本专利3883678和美国专利8,314,468B2的专利。他还撰写了三本书籍章节,例如“确定下一代半导体中杂质和影响多数载流子浓度的缺陷密度和能级的方法”,“非晶半导体的结特性”和“非晶/半导体晶体半导体的电特性异质结”。

  水原 德健于2003年在ROHM京都本社入社以来,一直专注于海外市场,特别是中国市场的半导体产品推广和技术支持。

  土方 泰斗教授曾担任ICSCRM2006&2013和高级功率半导体部门的技术委员会成员,是各期评论员和日本应用物理学会会员。于1999年在日本东京工业大学获得光波感测技术博士学位。之后他作为助理教授抵达埼玉大学。 他曾于2005年10月至2006年3月在意大利的国家研究机构(CNR)担任客座研究员。自2006年以来,他一直担任目前的职位。

  土方 泰斗教授目前的研究方向为:1. 研究SiC MOS界面特性和SiC热氧化机理,开发出高可靠性的高性能超低损耗SiC MOSFET; 2. 使用碳化硅半导体用于或航空航天的辐射硬度装置的发展; 3.用于量子信息通信,量子计算和量子传感应用的SiC晶体中单光子源的表征和功能化。

  他曾撰写碳化硅器件相关书籍一本,并参与编辑碳化硅器件相关书籍章节,发表技术论文100余篇并参加多场会议演讲。

  宇治原 徹博士于1999年在日本京都大学材料科学与工程系获得博士学位。目前研究方向涉及先进能源材料的晶体生长技术领域。他有三个研究贡献:1.开发高品质SiC晶体的晶体生长技术; 2.用于改善材料加工的信息技术(通过使用AI技术和数据可视化); 3.用于热管理的AlN填充材料的开发。 他与30多家公司开展了许多产学合作研究项目。此外他还成立了一家生产和销售AlN填料的企业,现在他是该公司的首席执行官兼CTO。

  刘冰冰教授于1995年获得吉林大学博士学位,毕业后加入吉林大学超硬材料国家重点实验室。 她还在瑞典于默奥大学物理系获得了两年的博士后奖学金(1999-2001)。 她曾任吉林大学副教授(1998),正教授(2001),长江讲席教授(2009)。 她现任超硬材料国家重点实验室主任。

  她的研究主要集中在高压引起的各种材料(包括碳和金属氧化物纳米材料)的新型结构和物理性质。 刘教授发表了200多篇期刊论文。

  敖金平博士是IEEE的高级成员,电化学学会会员,日本应用物理学会会员,以及电子,信息和通信工程师协会会员。

  敖金平博士于1989年在武汉大学获得物理学学士学位,1992年在中国石家庄河北省半导体研究所(HSRI)获得半导体物理及器件物理学硕士学位,2000年在吉林大学获得电子工程学博士学位。他于2000年加入HSRI,从事GaAs高速化合物半导体器件和集成电路,光电子器件和光电集成电路的研究工作。随后于2001年加入日本德岛大学,并于2012年成为副教授,从事宽带隙半导体电子器件,单片集成电路,化学传感器和光电子器件的研发工作。他在国际期刊和会议上发表了200多篇论文。

  陆国权博士是弗吉尼亚理工大学布拉德利电气与计算机工程系和材料科学与工程系的教授。他同时还是天津大学材料科学与工程学院的客座教授、IEEE院士。

  陆博士拥有卡耐基梅隆大学物理学和材料科学与工程学双学士学位,并在哈佛大学获得了应用物理/材料科学博士学位。在加入弗吉尼亚理工大学之前,曾在美铝技术中心工作。 自1998年以来,陆博士一直在弗吉尼亚理工大学电力电子系统中心(CPES)进行研究项目。他的研究方向包括功能材料的合成和加工以及电力电子集成电子封装技术的开发。

  陆博士发表了100多篇期刊文章和超过100篇论文。曾获弗吉尼亚理工大学教学奖和国家科学基金会职业奖。他研究的纳米级银涂覆的nanoTach®用于低温连接半导体芯片获得2007年R&D 100奖。

  中国 中国科学院半导体研究所研究员,东莞市天域半导体科技有限公司首席技术官

  孙国胜研究员1985年毕业于兰州大学物理系。 他于1994年获得中国科学院半导体研究所半导体物理和器件专业博士学位。1998年起开始进行宽带隙SiC半导体材料和器件的研究工作。2011年,他开始与东莞市天域半导体科技有限公司合作进行 4H-SiC外延片产业化研究。

  李顺峰博士,现任华功半导体副总裁,负责市场营销,负责市场调研与推广,品牌建设和公司管理工作;同时,主要负责领导江苏华功第三代半导体产业技术研究院的技术研发、项目管理、合作交流等工作。

  李顺峰博士对半导体材料与器件,尤其是氮化镓材料、器件工艺及性能都有很深的研究和实践经验。多次领导、主持、参与欧盟、德国联邦政府与国家863 项目等研究项目,发表六十篇学术文章,并获得十几项美国和国内专利发明。另外,他还拥有丰富的管理经验。

  李顺峰兼任北京大学东莞光电研究院副院长、研究员,历任德国布伦瑞克工业大学半导体技术研究所研究组长、研究科学家,德国卡尔斯鲁厄大学光子学与量子电子学研究所项目负责人、博士后研究等职务。李顺峰毕业于北京大学物理系,并取得德国Paderborn大学半导体材料与器件博士学位。中国有色金属学会第三代半导体专业委员会委员、第三代半导体产业技术创新联盟国际分委会GaN应用组组长。

  邹弘纲博士于1993年在日本东北大学获得博士学位。毕业后,一直领导并从事众多半导体和电子技术的发展工作,包括新兴的非易失性存储器,高K电容器,LED,功率器件,薄膜锂电池以及3D封装制造技术。 他于2008年至2014年期间担任ULVAC公司半导体和电子技术研究所总经理。现任ULVAC高级研究员兼公司全球市场与技术战略部总经理。

  邹弘纲博士曾开发多项生产技术,包括用于大批量生产下一代DRAM的大容量电容器的高介电常数薄膜的技术开发、大规模生产FeRAM(通过溅射,MOCVD,等离子刻蚀和灰化等)的技术开发、大规模生产ReRAM的技术开发等,并发表期刊论文20余篇。

  菅沼 克昭教授于1982年获得东北大学博士学位。他于1982年在大阪大学ISIR(科学和工业研究所)担任研究助理,1986年担任国防科学院副教授,并担任大阪ISIR教授1996 - 2007年担任纳米技术中心主任,2009 - 2013年担任综合分析中心主任,2010 - 2012年担任ISIR副主任。自2018年起,他是ISIR的董事。

  他曾从事无铅焊接,导电胶,电力电子封装和印刷电子,并在领域内出版著作几部。他目前负责多个工业项目,如印刷电子标准化IEC TC119日本国家委员会(JEITA),ISO标准化国家委员会下一代电力电子基板热性能测试方法主席(JFCA)主席,印刷电子协会主席日本和WGB系统集成联盟。

  亚太碳化硅及相关材料国际会议会议将围绕宽禁带半导体材料生长技术、材料结构与物性、光电子和电子器件研发以及相关设备研发等领域开展广泛交流,促进产学研的相互合作和交流。相信这次会议必将对亚太地区碳化硅等宽禁带半导体材料与器件的学术研究、技术进步和产业发展起到有力的推动作用!


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